ВУЛ Бенціон Мойсейович (09(22). 05. 1903, м. Біла Церква, нині Київської обл. – 09. 04. 1985, Москва) – фізик. Академік АН СРСР (1972). Сталінська (1946) та Ленінська (1964) премії. Закінчив Київський політехнічний інститут (1928). Від 1932 працював у Фізичному інституті АН СРСР (Москва): від 1933 – засновник і керівник лабораторії фізики діелектриків. Досліджував електричну міцність діелектриків, відкрив нову форму пробою (послідовного) діелектрика; вивчав електричні розряди у газах в однорідних та неоднорідних полях при різних тисках; тверді діелектрики з високою діелектричною проникністю; явища у діелектриках при сильному гамма-опроміненні. Встановив основні закономірності зміни електропровідності діелектриків під дією гамма-випромінювання. Відкриття вченим сегнетоелектричних якостей титанату барію заклали основу створення нового класу діелектриків – сегнетоелектриків з великим п’єзомодулем. У результаті дослідження фізики напівпровідників уперше в СРСР вирощено монокристали германію та вивчено нерівноважні електронні процеси у ньому. Під керівництвом Бенціона Вула розпочато розроблення перших у СРСР напівпровідникових діодів, транзисторів і сонячних елементів. Подальші дослідження у галузі фотоелектричних явищ у германії та кремнії призвели до створення кремнієвих фотоелементів радянських сонячних батарей. Створив дифузний транзистор і запропонував p–n-переходи у напівпровідниках використовувати як нелінійні конденсатори. За участі вченого створено перші в СРСР напівпровідникові квантові генератори.
Праці
Последовательный пробой твердых диэлектриков // ЖТФ. 1932. Т. 2, вып. 3–4; Вещества с высокой и сверхвысокой диэлектрической проницаемостью // Электричество. 1946. № 3 (співавт.); О диэлектрических свойствах переходных слоев в полупроводниках // ЖТФ. 1955. Вып. 1; Электрическая прочность полупроводников // ФТП. 1967. Т. 1, вып. 11; Физика диэлектриков и полупроводников: Избр. тр. Москва, 1988.
Література
Бенцион Моисеевич Вул: Мат. к биобиблиографии ученых СССР. Москва, 1981; Памяти Бенциона Моисеевича Вула // УФН. 1986. Т. 149, вып. 2.
Ю. М. Ранюк