Vul Bentsion Moiseiovych | ukrainci.top


ISBN: 978-966-02-9999-3 (online)
DOI: 10.37068/b/9789660299993


Vul Bentsion Moiseiovych


Перший виявив сегнетоелектричні властивості титанату барію та синтезував п’єзокераміку. Керівник робіт зі створення перших вітчизняних напівпровідникових діодів, транзисторів і сонячних елементів.

Read more


Encyclopedia article

ВУЛ Бенціон Мойсейович (09(22). 05. 1903, м. Біла Церква, нині Київської обл. – 09. 04. 1985, Москва) – фізик. Академік АН СРСР (1972). Сталінська (1946) та Ленінська (1964) премії. Закінчив Київський політехнічний інститут (1928). Від 1932 працював у Фізичному інституті АН СРСР (Москва): від 1933 – засновник і керівник лабораторії фізики діелектриків. Досліджував електричну міцність діелектриків, відкрив нову форму пробою (послідовного) діелектрика; вивчав електричні розряди у газах в однорідних та неоднорідних полях при різних тисках; тверді діелектрики з високою діелектричною проникністю; явища у діелектриках при сильному гамма-опроміненні. Встановив основні закономірності зміни електропровідності діелектриків під дією гамма-випромінювання. Відкриття вченим сегнетоелектричних якостей титанату барію заклали основу створення нового класу діелектриків – сегнетоелектриків з великим п’єзомодулем. У результаті дослідження фізики напівпровідників уперше в СРСР вирощено монокристали германію та вивчено нерівноважні електронні процеси у ньому. Під керівництвом Бенціона Вула розпочато розроблення перших у СРСР напівпровідникових діодів, транзисторів і сонячних елементів. Подальші дослідження у галузі фотоелектричних явищ у германії та кремнії призвели до створення кремнієвих фотоелементів радянських сонячних батарей. Створив дифузний транзистор і запропонував p–n-переходи у напівпровідниках використовувати як нелінійні конденсатори. За участі вченого створено перші в СРСР напівпровідникові квантові генератори.

Праці

Последовательный пробой твердых диэлектриков // ЖТФ. 1932. Т. 2, вып. 3–4; Вещества с высокой и сверхвысокой диэлектрической проницаемостью // Электричество. 1946. № 3 (співавт.); О диэлектрических свойствах переходных слоев в полупроводниках // ЖТФ. 1955. Вып. 1; Электрическая прочность полупроводников // ФТП. 1967. Т. 1, вып. 11; Физика диэлектриков и полупроводников: Избр. тр. Москва, 1988.

Література

Бенцион Моисеевич Вул: Мат. к биобиблиографии ученых СССР. Москва, 1981; Памяти Бенциона Моисеевича Вула // УФН. 1986. Т. 149, вып. 2.

Ю. М. Ранюк

Article information


Article information

 Contributed by:

Yu. M. Raniuk

Published online:

 2022

 Copyrights & licensing:

This article distributed under the terms of the Copyright Statement

  Recommended citation:

Vul Bentsion Moiseiovych. (2022). In M. Zhelezniak, Y. Yatskiv, M. Andreychyn, L. Dubrovina, M. Stepanenko, M. Melnyk, T. Dobko, & O. Ishchenko (Eds), Famous figures by Ukrainian origin in world civilization: online encyclopedia. Kyiv: Institute of Encyclopedic Research, National Academy of Sciences of Ukraine. URL: https://ukrainci.top/en/article-1308

Up